經(jīng)過漫長的等待，基于3D XPoint技術(shù)的DIMM內(nèi)存又向前邁了一大步，在今年的USB全球技術(shù)大會上，intel（英特爾）執(zhí)行副總裁、數(shù)據(jù)中心部門總經(jīng)理Navin Shenoy宣布，基于3D XPoint存儲技術(shù)的DIMM內(nèi)存將會在2018下半年正式推出，擁有NAND非易失性、高密度和DRAM低延遲、超高速率等優(yōu)點，單條內(nèi)存容量就可達到512GB，對于服務(wù)器平臺而言6TB只是起點，可以預(yù)見未來的內(nèi)存容量會呈井噴式的爆發(fā)。另外，英特爾還宣布與美光合作對其旗下IM Flash擴場，猶他IM廠60號建筑已落成，能大幅提升產(chǎn)能，無需擔(dān)心3D XPoint產(chǎn)能所限帶來的種種問題。
3D XPoint技術(shù)內(nèi)存由英特爾與美光共同研發(fā)，采用NVDIMM-P接口類型，目前未公布具體技術(shù)細節(jié)。雖然還未正式量產(chǎn)，但技術(shù)規(guī)格等優(yōu)勢明顯，英特爾強調(diào)到2021年，3D XPoint內(nèi)存條將為其打開80億美元市場。不過，目前還沒任何平臺配套給予市場，不過英特爾表示很快會在服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心先進行合作，至于消費級平臺還不得而知。另外，JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會關(guān)于NVDIMM-P類型的標(biāo)準(zhǔn)尚未敲定，AT認為兼容DDR4不可能，但TMHW則說早期兼容DDR4是必然的，只是接口略有區(qū)別，至于能否順利推行，資訊中心也會持續(xù)跟進，敬請期待。
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