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東芝公司與西部數(shù)據(jù)在經(jīng)歷了長時(shí)間的法律訴訟后終于達(dá)成和解，雙方繼續(xù)在96層3D-NAND Flash展開合作。12月21日，東芝宣布Fab 7興建計(jì)劃。目前，英特爾、三星、東芝等儲(chǔ)存大廠已經(jīng)如解凍寒冰一般陸續(xù)開始增加閃存產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2018年閃存將出現(xiàn)供大于求的現(xiàn)象，各大儲(chǔ)存大廠的近況如何？一起來看看：

英特爾：

英特爾去年3月投入55億巨資以擴(kuò)建大連廠區(qū)的第二期工程。大連廠區(qū)在2010年正式投產(chǎn)，2017年的擴(kuò)建工程完成后，將新增約1000套半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，生產(chǎn)線投產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)為2019年3月。

長江存儲(chǔ)：

長江存儲(chǔ)是一家以開發(fā)半導(dǎo)體和集成電路相關(guān)產(chǎn)品為核心的科技公司，由紫光集團(tuán)主持成立，早期宣稱將于2017年底量產(chǎn)32層的3D NAND FLASH，產(chǎn)能達(dá)到每月30萬片。

三星：

三星也將擴(kuò)建西安廠二期，持續(xù)放大在中國生產(chǎn)3D-NAND Flash的能量。臺(tái)灣媒體報(bào)道，三星被手機(jī)廠商投訴、發(fā)改委約談后，3D Flash在2018年Q1降價(jià)5%，壟斷是要付出代價(jià)的。

現(xiàn)在各存儲(chǔ)大家都在逐漸擴(kuò)充產(chǎn)能，2018年的3D-NAND Flash市場預(yù)計(jì)將在3個(gè)季度后逐漸回至2016年水平，而2019年后的3D-NAND Flash預(yù)期將供過于求，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能大戶分布呈現(xiàn)中-日-韓三足鼎立之勢。

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